г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLMS1902TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6, N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Цена
102 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLMS1902TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
Micro6™(TSOP-6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLMS1902TRPBF,IRLMS1902PBFTR,IRLMS1902PBFDKR,SP001558856,IRLMS1902PBFCT
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLMS1902
Power Dissipation (Max)
1.7W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF640NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BBY57-02V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: IRF3805S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7465
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IMW120R350M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3, N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRG7PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 140A 556W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Подробнее