г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLMS2002TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6, N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Цена
124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLMS2002TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
Micro6™(SOT23-6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1310 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLMS2002TRPBF,SP001567202,IRLMS2002PBFDKR,IRLMS2002PBFCT,IRLMS2002PBFTR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLMS2002
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP, N-Channel 500 V 5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BSZ058N03MSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: BFN26E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFS7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK, N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAR151E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSS225H6327FTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89, N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Подробнее