г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLMS2002TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6, N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Цена
124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLMS2002TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
Micro6™(SOT23-6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1310 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLMS2002TRPBF,SP001567202,IRLMS2002PBFDKR,IRLMS2002PBFCT,IRLMS2002PBFTR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLMS2002
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR220NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK, N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSC037N08NS5TATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON, N-Channel 80 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: HFA08TB60PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IRAM136-1061A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOSFET DRIVER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SGW50N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 100 A 416 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPP60R125CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3, N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее