г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR120NTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR120NTRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR120NPBFDKR,IRLR120NPBFCT,IRLR120NPBFTR,SP001574026,*IRLR120NTRPBF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR120
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6785MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET, N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IHW30N110R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3, IGBT Trench 1100 V 60 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFH7932TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56, N-Channel 30 V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: BTS115A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, 15.5A (Tc)
Подробнее
Артикул: SPP02N80C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BFS483H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее