г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR120NTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR120NTRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR120NPBFDKR,IRLR120NPBFCT,IRLR120NPBFTR,SP001574026,*IRLR120NTRPBF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR120
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM136-1060B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 10A 600V ADV SIP05, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKA10N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 11.7 A 30 W Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IPA50R190CEXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRL3103D1S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK, N-Channel 30 V 64A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее