г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR2905TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
260 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR2905TRLPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR2905TRLPBFCT,IRLR2905TRLPBF-ND,SP001569030,IRLR2905TRLPBFTR,IRLR2905TRLPBFDKR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR2905
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT2907ALT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPP65R190CFDXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRF9335PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO, P-Channel 30 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKD15N60RC2ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKD15N60RC2ATMA1, IGBT Trench Field Stop 600 V 28 A 115.4 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPD60R1K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее