г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR3636TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
336 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3636TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3779 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR3636TRPBFDKR,IRLR3636TRPBFCT,IRLR3636TRPBFTR,SP001574002
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR3636
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL540NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB, N-Channel 100 V 36A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 42A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 42 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BFQ19SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3, RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRFR9024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее