г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR6225TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR6225TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
191 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR6225TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3770 pF @ 10 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR6225TRPBFCT,IRLR6225TRPBFDKR,IRLR6225TRPBFTR,SP001573984
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLR6225
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BF5030WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FET RF 8V 800MHZ SOT343, RF Mosfet N-Channel 3 V 10 mA 800MHz 24dB - SOT-343
Подробнее
Артикул: BAS7007E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT143, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA
Подробнее
Артикул: IPD068N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3, N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFR9024NTRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее