г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8113 Infineon Technologies

Артикул
IRLR8113
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK, N-Channel 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR8113.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2920 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLR8113
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKP10N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 110W TO220-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSC110N06NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8, N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: SGP07N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFH5301TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IRF7303TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее