г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKP10N60TXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 20A 110W TO220-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKP10N60TXKSA1.jpg
Other Names
SP000683062,IKP10N60T,IKP10N60T-ND
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Power - Max
110 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 10A
Switching Energy
430µJ
Gate Charge
62 nC
Td (on/off) @ 25°C
12ns/215ns
Base Product Number
IKP10N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Reverse Recovery Time (trr)
115 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFR2905Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BFR183E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: BFN27E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7342D2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO, P-Channel 55 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPB027N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее