г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8113 Infineon Technologies

Артикул
IRLR8113
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK, N-Channel 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR8113.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2920 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLR8113
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP65R190C7FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3, N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRF3710ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB, N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFS4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK, N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFHS8342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON, N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
Подробнее
Артикул: IRF7343TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее