г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8113TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR8113TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK, N-Channel 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR8113TRPBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2920 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLR8113TRPBF,SP001558550,IRLR8113PBFCT,IRLR8113PBFTR,IRLR8113PBFDKR
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF8736PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO, N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFZ48NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK, N-Channel 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP60R360P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3, N-Channel 650 V 9A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PSC71 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFR18N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK, N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее