г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8256PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR8256PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK, N-Channel 25 V 81A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
134 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR8256PBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1470 pF @ 13 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001568738
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDW100E60FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3, Diode Standard 600 V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFSL3107PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO262, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 78A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 78 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRF6216PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 172A TO247, N-Channel 60 V 172A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BCR146
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее