г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8729TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR8729TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
103 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR8729TRPBF.jpg
Other Names
IRLR8729TRPBFDKR,IRLR8729TRPBFCT,IRLR8729TRPBFTR,IRLR8729TRPBF-ND,SP001569082
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
55W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IRLR8729
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5, N-Channel 80 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRG4PC30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRG4BC30W-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7526D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8, P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IRFB33N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее