г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP60R180C7 Infineon Technologies

Артикул
IPP60R180C7
Бренд
Infineon Technologies
Описание
13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
CoolMOS™
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 400 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IPP60R180C7,INFINFIPP60R180C7
Standard Package
1
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BTS247Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPP200N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3, N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRGB4059DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 8A 56W TO220AB, IGBT Trench 600 V 8 A 56 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DDB6U30N08VRBOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 26A 83.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 600 V 26 A 83.5 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF630NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK, N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR583E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее