г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLU3110ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLU3110ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
315 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLU3110ZPBF.jpg
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001578962
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLU3110
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSS816NWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3, N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IPW60R125CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M,
Подробнее
Артикул: IHW20N135R3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT, IGBT
Подробнее
Артикул: SI4410DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPN70R1K2P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223, N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BSM35GD120DN2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее