г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFH5406TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFH5406TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN, N-Channel 60 V 11A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Цена
291 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFH5406TRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1256 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFIRFH5406TRPBF,IRFH5406TRPBFDKR,SP001577902,2156-IRFH5406TRPBF,IRFH5406TRPBFTR,IRFH5406TRPBF-ND,IRFH5406TRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFH5406
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 46W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR1018EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCP69E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSC021N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET TRENCH 80V TSON-8, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IPD78CN10NGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL3302
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB, N-Channel 20 V 39A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее