г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLU3410PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLU3410PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
196 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLU3410PBF.jpg
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLU3410PBF,64-4160PBF,64-4160PBF-ND,SP001574164
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLU3410
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF200P222
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC, N-Channel 200 V 182A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF8721TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IPB110P06LMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3, P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRFU3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее