г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPG16N10S461ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Цена
205 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPG16N10S461ATMA1.jpg
Base Product Number
IPG16N10
Other Names
IPG16N10S461ATMA1-ND,IPG16N10S461ATMA1TR,IPG16N10S461ATMA1CT,INFINFIPG16N10S461ATMA1,IPG16N10S461ATMA1DKR,2156-IPG16N10S461ATMA1,SP000892972
Power - Max
29W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
61mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFP90N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC, N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKD04N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, IGBT Trench 600 V 8 A 75 W Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRF7201PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO, N-Channel 30 V 7.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFH5300TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN, N-Channel 30 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее