г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ24NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ24NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB, N-Channel 55 V 18A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ24NPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLZ24NPBF,SP001553022
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ24
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF5210L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 40A TO262, P-Channel 100 V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPN70R1K5CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: IRL3502S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK, N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BSC160N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON, N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее