г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ24NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ24NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB, N-Channel 55 V 18A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ24NPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLZ24NPBF,SP001553022
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ24
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC057N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON, N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRLS4030PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FP75R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 355W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 105 A 355 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7317TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD60R950C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3, N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее