г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4229PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4229PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC, N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
761 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4229PBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRFP4229PBF,SP001578046,INFINFIRFP4229PBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP4229
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFSL17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO262, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BSC0901NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON, N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IPP045N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLL014NTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPP11N80 - COOLMOS N-CHANNEL POW, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее