г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ24NSTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK, N-Channel 55 V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
215 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ24NSTRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLZ24NSTRLPBFCT,IRLZ24NSTRLPBFDKR,SP001559010,IRLZ24NSTRLPBFTR,IRLZ24NSTRLPBF-ND
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ24
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 45W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC30FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW30N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 187W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSB017N03LX3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON, N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: IRLB3813PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP80N04S404AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3, N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FD250R65KE3KNOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее