г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BB833E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BB833E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE VARACTOR 30V SOD-323, Varactors Single 30 V Surface Mount PG-SOD323-2
Цена
257 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Variable Capacitance (Varicaps, Varactors), Диоды - с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Image
files/BB833E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BB833
Other Names
BB833E6327XT,BB833INTR-NDR,BB833INCT,BB833XTINCT,BB833E6327HTSA1DKR,BB833E6327HTSA1CT,BB833INDKR,INFINFBB833E6327HTSA1,BB833E6327,BB833INTR-ND,BB833E6327HTSA1TR,2156-BB833E6327HTSA1,BB833XTINTR,BB833,BB833INCT-NDR,BB833XTINCT-ND,BB 833 E6327,BB833INTR,BB8
Diode Type
Single
Capacitance @ Vr, F
0.9pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio
12.4
Capacitance Ratio Condition
C1/C28
Voltage - Peak Reverse (Max)
30 V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.10.0070
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-76, SOD-323
Supplier Device Package
PG-SOD323-2
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Q @ Vr, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH50S-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A TO247AD, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IPP60R099C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IDP30E60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: BSC110N06NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8, N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IPD60R2K1CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3, N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLR2705PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK, N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее