г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ34NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ34NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB, N-Channel 55 V 30A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
253 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ34NPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001553290,*IRLZ34NPBF
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ34
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFHM830TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN, N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: IPW60R160C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFZ48VS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK, N-Channel 60 V 72A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC0904NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRAM136-1061A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOSFET DRIVER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее