г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ44NSTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
260 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ44NSTRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLZ44NSTRLPBFDKR,IRLZ44NSTRLPBFCT,IRLZ44NSTRLPBF-ND,IRLZ44NSTRLPBFTR,SP001553014
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ44
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20UD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7700TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP, P-Channel 20 V 8.6A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: SGW20N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFB3077GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR4132TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK,
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее