г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ44Z Infineon Technologies

Артикул
IRLZ44Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ44Z.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLZ44Z
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB, N-Channel 60 V 115A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPT026N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF, N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRGP4066DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MMBT3904LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее