г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ44ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ44ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
224 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ44ZPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLZ44ZPBF,SP001577132
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ44
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4068D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFP4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPP65R225C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPA60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS, N-Channel 600 V 9A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPD80R1K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 4A TO252, N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее