г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ44ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ44ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
224 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLZ44ZPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLZ44ZPBF,SP001577132
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLZ44
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR014NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, N-Channel 55 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7304TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPW11N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCR119S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF6216PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BBY57-02VH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее