г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Артикул
ISC037N03L5ISATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
133 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ISC037N03L5ISATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
ISC037
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-ISC037N03L5ISATMA1TR,SP005408608,448-ISC037N03L5ISATMA1CT,448-ISC037N03L5ISATMA1DKR
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 37W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF60R217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, N-Channel 60 V 58A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IRLL2705PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BSC360N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRG4PC30SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD95R2K0P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BC859-C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее