г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Артикул
ISC045N03L5SATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
119 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ISC045N03L5SATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 15 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
ISC045
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-ISC045N03L5SATMA1DKR,448-ISC045N03L5SATMA1CT,448-ISC045N03L5SATMA1TR,SP005408605
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM50GP120BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK, N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRGPS46160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 240A SUPER247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BSC039N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее