г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Артикул
ISC045N03L5SATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
119 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ISC045N03L5SATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 15 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
ISC045
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-ISC045N03L5SATMA1DKR,448-ISC045N03L5SATMA1CT,448-ISC045N03L5SATMA1TR,SP005408605
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R125CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M,
Подробнее
Артикул: SGP07N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: BSM50GB170DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 72A 500W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 72 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FF800R12KF4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 800A 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 800 A 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSZ0702LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее