г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT2222ALT1 Infineon Technologies

Артикул
MMBT2222ALT1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
NPN SWITCHING TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT2222ALT1.jpg
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Standard Package
1
Other Names
2156-MMBT2222ALT1,IFEINFMMBT2222ALT1
HTSUS
0000.00.0000
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
-
Frequency - Transition
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW25T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 50 A 190 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFS52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFL4315PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223, N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRF7453TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO, N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT1704WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 130 mA 150 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: BSS223PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3, P-Channel 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее