г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT04S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT04S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT04S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
4A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.9 V @ 4 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
150pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
SDT04S60IN,SDT04S60IN-NDR,SDT04S60X,SDT04S60XK,SDT04S60XTIN,SDT04S60XTIN-ND,SP000013822
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC190N12NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON, N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: BSS225
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89, N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT
Подробнее
Артикул: IPW60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPD78CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: IRFU3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее