г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT06S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT06S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT06S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
6A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 6 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
300pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
SDT06S60IN,SDT06S60IN-NDR,SDT06S60X,SDT06S60XK,SDT06S60XTIN,SDT06S60XTIN-ND,SP000013823
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7706
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP, P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.51W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRFB7545PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 95A TO220, N-Channel 60 V 95A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF2204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, N-Channel 40 V 210A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDL12G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее