г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLB8721PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLB8721PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLB8721PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1077 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001558140,2156-IRLB8721PBF,INFINFIRLB8721PBF
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLB8721
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF450R17ME4PBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 900A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 900 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее
Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPN50R3K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223, N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Подробнее
Артикул: IPW60R070CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее