г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLB8721PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLB8721PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLB8721PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1077 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001558140,2156-IRLB8721PBF,INFINFIRLB8721PBF
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLB8721
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFBA1405PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220, N-Channel 55 V 174A (Tc) 330W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: IRLML5103TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23, P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFS4610
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF9395MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET™ MC
Подробнее