г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT12S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT12S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT12S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
12A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
400 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
450pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
SDT12S60IN,SDT12S60IN-NDR,SDT12S60X,SDT12S60XK,SDT12S60XTIN,SDT12S60XTIN-ND,SP000013825
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFR183E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IMZ120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: SGW50N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 100 A 416 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BFN26E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRLR7807ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK, N-Channel 30 V 43A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее