г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGB10N60A Infineon Technologies

Артикул
SGB10N60A
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGB10N60A.jpg
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Power - Max
92 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 10A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Switching Energy
320µJ
Gate Charge
52 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-SGB10N60A,INFINFSGB10N60A
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
28ns/178ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFZ44VPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB, N-Channel 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB3307ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF5803D2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLB3813PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDP15E65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220, Diode Standard 650 V 15A Through Hole TO-220
Подробнее