г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGB10N60AATMA1 Infineon Technologies

Артикул
SGB10N60AATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 20A 92W TO263-3, IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
150 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGB10N60AATMA1.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 10A
Power - Max
92 W
Switching Energy
320µJ
Input Type
Standard
Gate Charge
52 nC
Td (on/off) @ 25°C
28ns/178ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SGB10N60A,INFINFSGB10N60AATMA1,2156-SGB10N60AATMA1,SGB10N60A-ND,SGB10N60AATMA1TR,SP000013790
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
10N60
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3711ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB, N-Channel 20 V 92A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC028N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: BAR5002VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IGW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRFSL4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A TO262, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее