г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGP20N60HS Infineon Technologies

Артикул
SGP20N60HS
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 36A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 36 A 178 W Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
215 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGP20N60HS.jpg
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Power - Max
178 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Switching Energy
690µJ
Gate Charge
100 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFSGP20N60HS,2156-SGP20N60HS
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
18ns/207ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF6215L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A TO262, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRL1404ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IMZ120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: SDT06S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее