г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGW30N60 Infineon Technologies

Артикул
SGW30N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGW30N60.jpg
Standard Package
1
Other Names
2156-SGW30N60,INFINFSGW30N60
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFR7546TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: IRFB33N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R040CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3, N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFS3307ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPB80P06PGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее