г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SKW15N60 Infineon Technologies

Артикул
SKW15N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
344 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/SKW15N60.jpg
Standard Package
1
Other Names
INFINFSKW15N60,2156-SKW15N60
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ102SL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF7749L1TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET, N-Channel 60 V 33A (Ta), 200A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32, N-Channel 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Подробнее
Артикул: IGW75N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 140A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 140 A 428 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BAS 16U E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: AUIRGB4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W TO-220AB, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Through Hole TO-220AB
Подробнее