г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SKW25N120FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 46A 313W TO247-3, IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 711 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SKW25N120FKSA1.jpg
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
46 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
84 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 25A
Power - Max
313 W
Switching Energy
3.7mJ
Input Type
Standard
Gate Charge
225 nC
Td (on/off) @ 25°C
45ns/730ns
Test Condition
800V, 25A, 22Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SKW25N120,SKW25N120-ND,SP000012571
Standard Package
240
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFR193WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7380PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFSL3107PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO262, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFB4137PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 38A TO220, N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFS4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK, N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPW60R099CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее