г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SKW30N60HS Infineon Technologies

Артикул
SKW30N60HS
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
661 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
-
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
125 ns
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Switching Energy
1.15mJ
Gate Charge
141 nC
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-SKW30N60HS,INFINFSKW30N60HS
Standard Package
1
REACH Status
REACH Unaffected
Td (on/off) @ 25°C
20ns/250ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BBY58-02W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BBY58-02W, Varactors
Подробнее
Артикул: IPD65R250C6XTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3, N-Channel 650 V 16.1A (Tc) 208.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7905PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLIB4343
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP, N-Channel 55 V 19A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 78A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 78 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее