г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD03N60S5 Infineon Technologies

Артикул
SPD03N60S5
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPD03N60S5.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
2,500
Other Names
IFEINFSPD03N60S5,2156-SPD03N60S5
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ110N06NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON, N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IPP65R225C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: AUIRF4905
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB, P-Channel 55 V 74A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS100R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFSL4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO262, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFU3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее