г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP92PH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4, P-Channel 250 V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSP92PH6327XTSA1.jpg
Other Names
SP001058796,BSP92PH6327XTSA1TR,BSP92PH6327XTSA1CT,BSP92PH6327XTSA1DKR,INFINFBSP92PH6327XTSA1,2156-BSP92PH6327XTSA1,BSP92PH6327XTSA1-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Base Product Number
BSP92PH6327
Mounting Type
Surface Mount
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF60B217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB, N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BDP949H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 60V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее
Артикул: BCR505E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRLI3705NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP, N-Channel 55 V 52A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее