г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP15P10PLHXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPP15P10PLHXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
315 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPP15P10PLHXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1.54mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPP15P10PL H,SPP15P10PLH,SP000683162,SPP15P10PL H-ND
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
SPP15P10
Power Dissipation (Max)
128W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB, N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AIKW30N60CTXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC DISCRETE 600V TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRFPS3810
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BSZ100N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON, N-Channel 60 V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IPB80R290C3A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BSC009NE2LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее