г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP15P10PLHXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPP15P10PLHXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
315 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPP15P10PLHXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1.54mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPP15P10PL H,SPP15P10PLH,SP000683162,SPP15P10PL H-ND
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
SPP15P10
Power Dissipation (Max)
128W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SDT04S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPG20N06S2L-35AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSC015NE2LS5IATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON, N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRL3714ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK, N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее