г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFH50N50P3 IXYS

Артикул
IXFH50N50P3
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD, N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Цена
2 070 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IXFH50N50P3.jpg
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4335 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
-IXFH50N50P3
Series
HiPerFET™, Polar3™
Package
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IXFH50
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
30
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IXFH6N100
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD, N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: VUB120-16NOXT
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A MODULE, Bridge Rectifier Three Phase (Braking) Standard 1.6 kV Through Hole Module
Подробнее
Артикул: DSEI12-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC, Diode Standard 1200 V 11A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MIXA60WB1200TEH
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 85A 290W E3, IGBT Module PT Three Phase Inverter with Brake 1200 V 85 A 290 W Chassis Mount E3
Подробнее
Артикул: MDD56-12N1B
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 1.2KV 95A TO240AA, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200 V 95A Chassis Mount TO-240AA
Подробнее
Артикул: IXGH25N120A
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 50A 200W TO247AD, IGBT - 1200 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее