г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXXH30N60B3D1 IXYS

Артикул
IXXH30N60B3D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 60A 270W TO247, IGBT PT 600 V 60 A 270 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Цена
1 521 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IXXH30N60B3D1.jpg
Supplier Device Package
TO-247 (IXXH)
Power - Max
270 W
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
IGBT Type
PT
Current - Collector Pulsed (Icm)
115 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 24A
Switching Energy
550µJ (on), 500µJ (off)
Gate Charge
39 nC
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
Series
GenX3™, XPT™
Package
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IXXH30
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Warning Information
Standard Package
30
Td (on/off) @ 25°C
23ns/97ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DSEP2X60-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227B, Diode Array 2 Independent Standard 1200 V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Подробнее
Артикул: IXXH75N60B3
Бренд: IXYS
Описание: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD, IGBT PT 600 V 160 A 750 W Through Hole -
Подробнее
Артикул: DSI30-16A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC, Diode Standard 1600 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IXFN38N80Q2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B, N-Channel 800 V 38A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: IXFN21N100Q
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B, N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: IXBP5N160G
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB, IGBT - 1600 V 5.7 A 68 W Through Hole TO-220-3
Подробнее