г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TPR1000 Microsemi

Артикул
TPR1000
Бренд
Microsemi
Описание
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV, RF Transistor NPN 65V 80A 1.09GHz 2900W Chassis Mount 55KV
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Series
-
Other Names
150-TPR1000,TPR1000-ND
Power - Max
2900W
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Frequency - Transition
1.09GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
6dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 1A, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
55KV
Package / Case
55KV
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Standard Package
1
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
200°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max)
80A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5014
Бренд: Microsemi
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 200 mA - 1 W Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: 1N4734A
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE ZENER 5.6V 1W DO204AL, Zener Diode 5.6 V 1 W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 2N5092
Бренд: Microsemi
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N5384B
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE ZENER 160V 5W T18, Zener Diode 160 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: 2EZ24D5
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE ZENER 24V 2W DO204AL, Zener Diode 24 V 2 W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 2N6798
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Подробнее