г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5257B NTE Electronics

Артикул
1N5257B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 33V 500MW, Zener Diode 33 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Цена
18 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5257B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
33 V
Power - Max
500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 25 V
Tolerance
±0.5%
Supplier Device Package
-
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5257B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
58 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5228B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.9V 500MW, Zener Diode 3.9 V 500 mW ±5% Through Hole
Подробнее
Артикул: 2N3440
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- LINEAR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 1 A - Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N5386B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 180V 5W AXIAL, Zener Diode 180 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NTE6359
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000PRV 300A ANO CASE, Diode Standard 1000 V 300A Stud Mount DO-9
Подробнее
Артикул: NTE170
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI BRIDGE 1000V 2A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole 4-SIP
Подробнее
Артикул: 2N2102
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 1 A - 1 W Through Hole TO-39
Подробнее