г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5257B NTE Electronics

Артикул
1N5257B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 33V 500MW, Zener Diode 33 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Цена
18 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5257B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
33 V
Power - Max
500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 25 V
Tolerance
±0.5%
Supplier Device Package
-
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5257B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
58 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5416
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 300V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 1 A 15MHz 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N821A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N965B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW DO7, Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: MPSA93
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 2N5210
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AUDIO AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 50 mA 30MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MJ10023
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 40 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее