г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5367B NTE Electronics

Артикул
1N5367B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 43V 5W AXIAL, Zener Diode 43 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Цена
118 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5367B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
43 V
Power - Max
5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
500 nA @ 32.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 1 A
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
T-18, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5367B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
20 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: PN2907A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: NTE102A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor PNP 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Подробнее
Артикул: 1N5235B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 500MW, Zener Diode 6.8 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: NTE2317
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 450V 15A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 450 V 15 A - 105 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1N971B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 27V 500MW DO35, Zener Diode 27 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N3704
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AMP DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее