г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5406 NTE Electronics

Артикул
1N5406
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-600 PRV 3A, Diode Standard 600 V 3A Through Hole DO-201AD
Цена
28 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N5406.jpg
Package / Case
DO-201AD, Axial
Supplier Device Package
DO-201AD
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
30pF @ 4V, 1MHz
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-1N5406
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4002
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 1A 100V DO-41 STD., Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MMBT3906
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: TIP115
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 25MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N2907A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 2N3392
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N5550
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее