г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2925 NTE Electronics

Артикул
2N2925
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 25V 100MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 100 mA 160MHz 360 mW Through Hole TO-92
Цена
117 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N2925.jpg
Supplier Device Package
TO-92
Power - Max
360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
215 @ 2mA, 4.5V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-2N2925
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
160MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE2305
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 160V 16A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: NTE2547
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 8A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTE393
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 25A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1N4751A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 30V 1W AXIAL, Zener Diode 30 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MPSA12
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20 V - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 2N4125
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 200 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее